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HSM2903 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A,-6.5A 漏源电压(Vdss):20V,-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 4A,10V,45mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道和P沟道
HSM2903的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V,-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A,-6.5A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻14mΩ @ 4A,10V,45mΩ @ 4.9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型N沟道和P沟道

供应商HSM2903
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HSM2903连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A,-6.5A 漏源电压(Vdss):20V,-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 4A,10V,45mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道和P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO531.65 Kbytes共8页HSM2903的PDF下载地址
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HSM2903HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A,-6.5A 漏源电压(Vdss):20V,-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 4A,10V,45mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道和P沟道5+:¥0.7579
50+:¥0.558
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