标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：QFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：670mA（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7 欧姆 @ 335mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：250pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223-4

其它名称：FQT3P20TF_SB82100CT