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FQT1N80TF_WS /Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT1N80TF_WS, 200 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
FQT1N80TF_WS的规格信息
FQT1N80TF_WS的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：200 mA

最大漏源电压：800 V

最大漏源电阻值：20 0hms

最小栅阈值电压：3V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：SOT-223

安装类型：表面贴装

引脚数目：3+Tab

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.1 W

高度：1.7mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：6.7 x 3.7 x 1.7mm

宽度：3.7mm

系列：QFET

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：5.5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：150 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：15 ns

典型接通延迟时间：10 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：6.7mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FQT1N80TF_WS
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQT1N80TF-WS深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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FQT1N80TF_WS及相关型号的PDF资料
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FQT1N80TF_WS的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
10+:￥5.14
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQT1N80TF-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3$0.78000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
10+:￥5.14
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48000+:￥1.811+:￥8.78
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
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24000+:￥1.8399
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQT1N80TF-WSON Semiconductor / FairchildMOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
4,000:¥2.034
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQT1N80TF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel1+:￥5.89
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立创商城		FQT1N80TF-WSON(安森美)预售新品1+:￥4.03
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