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FQT1N60CTF_WS /N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223
FQT1N60CTF_WS的规格信息
FQT1N60CTF_WS的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：QFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：170pF @ 25V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：2.1W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：11.5 欧姆 @ 100mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

封装形式Package：SOT-223

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：600V

连续漏极电流ID：0.2A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FQT1N60CTF_WS
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深圳市维基鸿电子有限公司FQT1N60CTF-WS赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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深圳市芯幂科技有限公司FQT1N60CTF_WS深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市星宇佳科技有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市高捷半导体有限公司FQT1N60CTF_WS深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市振钰科技有限公司FQT1N60CTF_WS深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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集好芯城FQT1N60CTF-WS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司FQT1N60CTF-WS世纪汇都会轩45070755-82788062
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FQT1N60CTF_WSTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/Ronsemionsemi的LOGO1.13 Mbytes共8页FQT1N60CTF_WS的PDF下载地址无
FQT1N60CTF-WSN-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1043.46 Kbytes共8页FQT1N60CTF-WS的PDF下载地址无
FQT1N60CTF_WS的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQT1N60CTF-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4$0.70000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQT1N60CTF-WSON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQT1N60CTF_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1+:￥5.38
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立创商城		FQT1N60CTF-WSON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.47
10+:￥2.6
30+:￥2.44
100+:￥2.28
500+:￥2.21
1000+:￥2.18
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