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FQT1N60CTF-WS /MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
FQT1N60CTF-WS的规格信息
FQT1N60CTF-WS的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:11.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FQT1N60C

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:FQT1N60CTF_WS

单位重量:112 mg

供应商FQT1N60CTF-WS
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深圳市维基鸿电子有限公司FQT1N60CTF-WS赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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深圳市星宇佳科技有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市振钰科技有限公司FQT1N60CTF-WS深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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FQT1N60CTF-WS的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQT1N60CTF-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4$0.70000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQT1N60CTF-WSON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FQT1N60CTF-WSON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.47
10+:￥2.6
30+:￥2.44
100+:￥2.28
500+:￥2.21
1000+:￥2.18
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