| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Arrow(艾睿) | FQB9N50CTM | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 800+:￥4.94
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ChipOneStop | FQB9N50CTM | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 800+:￥4.94
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Mouser 贸泽电子 | FQB9N50CTM | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 800+:￥4.94
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Rochester | FQB9N50CTM | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 800+:￥4.94
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RS(欧时) | FQB9N50CTM | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 800+:￥4.94
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立创商城 | FQB9N50CTM | ON(安森美) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：135W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥13.23
10+:￥12.88
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