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FQB7N60TM /MOSFET 600V N-Channel QFET
FQB7N60TM的规格信息
FQB7N60TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:7.4 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB7N60

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:6.4 S

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:1.312 g

供应商FQB7N60TM
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深圳市星宇佳科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB7N60TM航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703		傅小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB7N60TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FQB7N60TM广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB7N60TM深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市星宇佳科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市橙椒科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030，13418730030
13418830030，13418730030		钟小姐，王先生Email:283906751@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB7N60TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市博浩通科技有限公司FQB7N60TM华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB7N60TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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FQB7N60TM及相关型号的PDF资料
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FQB7N60TMMOSFET 600V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1016.67 Kbytes共12页FQB7N60TM的PDF下载地址无
FQB7N60TMMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO945.42 Kbytes共10页FQB7N60TM的PDF下载地址无
FQB7N60TMMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO945.42 Kbytes共10页FQB7N60TM的PDF下载地址无
FQB7N60TM连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO801.77 Kbytes共9页FQB7N60TM的PDF下载地址无
FQB7N60TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:￥16.8
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB7N60TMON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK$2.09000
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Digi-Key 得捷电子		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
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Digi-Key 得捷电子		FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:￥16.8
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25+:￥13.6
100+:￥12.23
250+:￥10.8601
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB7N60TM-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAKObsolete
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB7N60TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.9891
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
10+:￥12.57
25+:￥11.26
100+:￥10.12
250+:￥8.991+:￥10.77
10+:￥8.7
100+:￥6.96
500+:￥6.96
800+:￥6.46
2400+:￥5.87
9600+:￥5.65
24800+:￥5.61
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Mouser 贸泽电子		FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:￥16.8
10+:￥15.18
25+:￥13.6
100+:￥12.23
250+:￥10.8601800+:￥7.8
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RS(欧时)		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
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Verical		FQB7N60TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel QFET1+:￥13.89
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Verical		FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:￥16.8
10+:￥15.18
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立创商城		FQB7N60TMON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道1+:￥14.69
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