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FQB6N80TM /MOSFET 800V N-Channel QFET
FQB6N80TM的规格信息
FQB6N80TM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.95 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB6N80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5.9 S

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:30 ns

零件号别名:FQB6N80TM_NL

单位重量:1.312 g

供应商FQB6N80TM
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深圳市芯幂科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB6N80TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB6N80TM航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB6N80TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB6N80TM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQB6N80TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQB6N80TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB6N80TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FQB6N80TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB6N80TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市博浩通科技有限公司FQB6N80TM华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FQB6N80TM深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司FQB6N80TM深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市高捷半导体有限公司FQB6N80TM深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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FQB6N80TM及相关型号的PDF资料
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FQB6N80TMMOSFET 800V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO935.69 Kbytes共11页FQB6N80TM的PDF下载地址
FQB6N80TMMOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO938.10 Kbytes共10页FQB6N80TM的PDF下载地址
FQB6N80TM的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
1600+:¥6.8599
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80000+:¥5.67011+:¥11.68
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ChipOneStop
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
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800+:¥9.8800+:¥4.41
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
1600+:¥6.8599
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
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Mouser 贸泽电子
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
1600+:¥6.8599
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800+:¥7
2400+:¥6.36
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24800+:¥6.08
49600+:¥5.93
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FQB6N80TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
800:¥8.0682
2,400:¥7.9891
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FQB6N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥7.47
1600+:¥6.8599
2400+:¥6.39
5600+:¥6.14
20000+:¥5.91
40000+:¥5.82
80000+:¥5.67011+:¥11.68
10+:¥9.36
100+:¥7.5399
500+:¥7.49
800+:¥7
2400+:¥6.36
9600+:¥6.12
24800+:¥6.08
49600+:¥5.931+:¥24.91
10+:¥22.0501
25+:¥16.34
100+:¥14.19
200+:¥12.76
800+:¥9.8800+:¥4.411+:¥6.741+:¥4.75
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立创商城
FQB6N80TMON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.95Ω @ 2.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道1+:¥20.25
10+:¥17.53
30+:¥17.03
100+:¥16.53
500+:¥16.31
1000+:¥16.03