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FQB6N90TM /
FQB6N90TM的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压900 V

闸/源击穿电压+/- 30 V

漏极连续电流5.8 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)1.9 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体D2PAK

封装Reel

下降时间55 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)6.3 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散3.13 W

上升时间80 ns

典型关闭延迟时间95 ns

供应商FQB6N90TM
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深圳市芯幂科技有限公司FQB6N90TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司FQB6N90TM_AM002深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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集好芯城FQB6N90TM_AM002深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司FQB6N90TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB6N90TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQB6N90TM_AM002深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQB6N90TM广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB6N90TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市安富世纪电子有限公司FQB6N90TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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FQB6N90TMAM002900V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO604.41 Kbytes共9页FQB6N90TMAM002的PDF下载地址
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FQB6N90TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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FQB6N90TMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET$2.15000
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FQB6N90TM_AM002ON SemiconductorMOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAKObsolete
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FQB6N90TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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