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FQAF11N90C /MOSFET N-CH/900V/7A/A.QFET
FQAF11N90C的规格信息
FQAF11N90C的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:7.2 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:120 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:26.7 mm

长度:15.7 mm

系列:FQAF11N90C

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:85 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:130 ns

工厂包装数量:360

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:60 ns

零件号别名:FQAF11N90C_NL

单位重量:7 g

供应商FQAF11N90C
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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FQAF11N90C900V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO633.39 Kbytes共8页FQAF11N90C的PDF下载地址FQA7N90,FQP2NA90,FQP8N90C,STB3NC90Z,FQA7N90M,FQP3N90,STW12NK90Z,STW6NC90Z,FQA9N90,FQP5N90
FQAF11N90C的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQAF11N90CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH/900V/7A/A.QFET1+:￥25.16
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元器件资料网-Avnet的LOGO
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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