标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：QFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 45A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：285nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：8700pF @ 25V

功率 - 最大值：375W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3PN