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FQA9N90C-F109 /MOSFET 900V N-Channel QFET
FQA9N90C-F109的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:280 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA9N90C_F109

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:75 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns

零件号别名:FQA9N90C_F109

单位重量:6.401 g

供应商FQA9N90C-F109
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FQA9N90C-F109连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO2.86 Mbytes共8页FQA9N90C-F109的PDF下载地址
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FQA9N90C-F109ON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET1:¥27.12
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FQA9N90C-F109ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道1+:¥11.59
10+:¥8.88
30+:¥8.38
100+:¥7.88
500+:¥7.66
1000+:¥7.55