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FQA8N90C-F109 /MOSFET 900V N-Channel
FQA8N90C-F109的规格信息
FQA8N90C-F109的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:240 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA8N90C_F109

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:70 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:110 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:40 ns

零件号别名:FQA8N90C_F109

单位重量:6.401 g

供应商FQA8N90C-F109
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