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FQA13N80-F109 /MOSFET TO-3P N-CH 600V
FQA13N80-F109的规格信息
FQA13N80-F109的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:12.6 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA13N80_F109

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:110 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:150 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:155 ns

典型接通延迟时间:60 ns

零件号别名:FQA13N80_F109

单位重量:6.401 g

供应商FQA13N80-F109
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FQA13N80-F10912.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1151.05 Kbytes共8页FQA13N80-F109的PDF下载地址无
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立创商城		FQA13N80-F109ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.6A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道1+:￥17.49
10+:￥13.18
30+:￥12.39
100+:￥11.6
500+:￥11.25
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