系列：QFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11.4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：94nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3500pF @ 25V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：960 毫欧 @ 5.7A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

封装形式Package：TO-3P

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：900V

连续漏极电流ID：11.4A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs