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FQA11N90C-F109 /MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQA11N90C-F109的规格信息
FQA11N90C-F109的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA11N90C_F109

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:85 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:130 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:60 ns

零件号别名:FQA11N90C_F109

单位重量:6.401 g

供应商FQA11N90C-F109
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FQA11N90C-F109FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1060.53 Kbytes共8页FQA11N90C-F109的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		FQA11N90C-F109ON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series1:¥30.1936
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立创商城		FQA11N90C-F109ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道1+:￥9.6
10+:￥9.33
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