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FQA10N80C-F109 /MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
FQA10N80C-F109的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:240 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA10N80C_F109

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:80 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:130 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:90 ns

典型接通延迟时间:50 ns

零件号别名:FQA10N80C_F109

单位重量:6.401 g

供应商FQA10N80C-F109
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FQA10N80C-F109FQA10N80C_F109 N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 10 A, 1.1 Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO435.47 Kbytes共8页FQA10N80C-F109的PDF下载地址
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