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FII50-12E /IXYS/分立半导体产品
FII50-12E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:24

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 阵列

系列:-

IGBT 类型:NPT

配置:半桥

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A

功率 - 最大值:200W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,30A

电流 - 集电极截止(最大值):400µA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):2nF @ 25V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:通孔

封装/外壳:i4-Pac?-5

供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC?

供应商FII50-12E
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FII50-12EIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品价格未公开
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