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FII30-06D /IGBT 晶体管 30 Amps 600V
FII30-06D的规格信息
FII30-06D的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:ISOPLUS i4-PAC-5

安装风格:Through Hole

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.9 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:30 A

Pd-功率耗散:100 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FII30-06D

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:40 A

高度:21.34 mm

长度:20.29 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:5.21 mm

商标:IXYS

集电极连续电流:30 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:25

子类别:IGBTs

商标名:ISOPLUS i4-PAC

单位重量:6 g

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Arrow(艾睿)		FII30-06DIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30 Amps 600V25+:￥69.831+:￥64.69
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Digi-Key 得捷电子		FII30-06DIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30 Amps 600V25+:￥69.83
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Digi-Key 得捷电子		FII30-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5Obsolete
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Mouser 贸泽电子		FII30-06DIGBT 晶体管 30 Amps 600V1:¥87.7558
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Mouser 贸泽电子		FII30-06DIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30 Amps 600V25+:￥69.831+:￥64.69
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