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FII40-06D /IXYS/分立半导体产品
FII40-06D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:25

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 阵列

系列:-

IGBT 类型:NPT

配置:半桥

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A

功率 - 最大值:125W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,25A

电流 - 集电极截止(最大值):600µA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:通孔

封装/外壳:i4-Pac?-5

供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC?

其它名称:FII4006DQ2152322

供应商FII40-06D
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FII40-06DIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 分立半导体模块 600V 40A 半导体1+:¥107.5
25+:¥90.43
100+:¥83.1
250+:¥75.76
500+:¥70.88
1000+:¥65.0001
2500+:¥62.56
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10000+:¥58.66011+:¥83.82
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25+:¥90.43
100+:¥83.1
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FII40-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5Obsolete
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10000+:¥58.66011+:¥83.82
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250+:¥72.39
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