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FII24N17AH1 /IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
FII24N17AH1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:ISOPLUS i4-PAC-5

安装风格:SMD/SMT

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V

栅极/发射极最大电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FII24N17AH1

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:18 A

高度:21.34 mm

长度:20.29 mm

宽度:5.21 mm

商标:IXYS

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:25

子类别:IGBTs

供应商FII24N17AH1
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FII24N17AH1IXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds25+:¥239.041+:¥221.1399
10+:¥221.1399
25+:¥221.1399
100+:¥221.1399
250+:¥211.09
500+:¥211.09
1000+:¥207.06
2500+:¥210.9499
5000+:¥204.161+:¥240.56
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FII24N17AH1SIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品25+:¥242.411+:¥224.2901
10+:¥224.2901
25+:¥224.2901
100+:¥224.2901
250+:¥214.09
500+:¥214.09
1000+:¥209.98
2500+:¥213.9301
5000+:¥207.061+:¥243.95
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FII24N17AH1IXYSIGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5Active
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FII24N17AH1IXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds25+:¥239.04
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FII24N17AH1IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds25:¥265.1771
50:¥249.3458
100:¥248.5774
250:¥217.8414
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FII24N17AH1IXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds25+:¥239.041+:¥221.1399
10+:¥221.1399
25+:¥221.1399
100+:¥221.1399
250+:¥211.09
500+:¥211.09
1000+:¥207.06
2500+:¥210.9499
5000+:¥204.16
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FII24N17AH1SIGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds25:¥268.94
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FII24N17AH1SIXYSIGBT - 阵列 - 分立半导体产品25+:¥242.411+:¥224.2901
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25+:¥224.2901
100+:¥224.2901
250+:¥214.09
500+:¥214.09
1000+:¥209.98
2500+:¥213.9301
5000+:¥207.06