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FDS8958B /MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
FDS8958B的规格信息
FDS8958B的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.4 A

Rds On-漏源导通电阻:26 mOhms, 51 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, 25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDS8958B

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:2 ns, 6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns, 6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 nS, 17 nS

典型接通延迟时间:4.3 nS, 6 nS

单位重量:187 mg

供应商FDS8958B
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深圳市星宇佳科技有限公司FDS8958B MOS(场效应管)深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDS8958B深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FDS8958Bwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司FDS8958B深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDS8958B深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司FDS8958B广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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FDS8958B的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDS8958BON SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC$0.77000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDS8958BON SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIActive
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Digi-Key 得捷电子		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDS8958B_GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SOObsolete
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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Mouser 贸泽电子		FDS8958BON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench1:¥5.2997
10:¥4.4409
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
2,500:¥2.2939
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDS8958BFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench2500+:￥1.9
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立创商城		FDS8958BON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.4A,4.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 6.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道和P沟道1+:￥2.74
10+:￥2.04
30+:￥1.91
100+:￥1.78
500+:￥1.73
1000+:￥1.7
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