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FDMC8651 /MOSFET 30V N-Channel Power Trench
FDMC8651的规格信息
FDMC8651的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:19.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMC8651

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:32.130 mg

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深圳市博浩通科技有限公司FDMC8651华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FDMC8651深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDMC8651深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳诚思涵科技有限公司FDMC8651深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市科思奇电子科技有限公司FDMC8651上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDMC8651华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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FDMC8651及相关型号的PDF资料
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FDMC8651N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 20 A, 6.1 mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO300.22 Kbytes共7页FDMC8651的PDF下载地址FDMC8296,FDMC8462,FDMS5352,FDD5353,FDMS8460,FDMS8690_07,FDB3502,STP16NF06_07,FDMC4435BZ,IXTQ50N20P
FDMC8651的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		FDMC8651Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel Power Trench3000+:￥4.79
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Digi-Key 得捷电子		FDMC8651ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33$1.41000
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element14 e络盟电子		FDMC8651Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel Power Trench3000+:￥4.79
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Mouser 贸泽电子		FDMC8651ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Power Trench1:¥8.9948
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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立创商城		FDMC8651ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道1+:￥8.54
10+:￥8.31
30+:￥8.16
100+:￥8
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