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FDMC86262P /MOSFET FET 150V 307.0 MOHM MLP33
FDMC86262P的规格信息
FDMC86262P的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:541 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:9.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMC86262P

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5.4 S

下降时间:5.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:8.5 ns

单位重量:165.330 mg

供应商FDMC86262P
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDMC86262Pwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDMC86262P深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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15989349634,13798567707
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FDMC86262PMOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLPON SemiconductorON Semiconductor的LOGO372.77 Kbytes共8页FDMC86262P的PDF下载地址
FDMC86262P连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.4A 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:307mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:P沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO370.52 Kbytes共8页FDMC86262P的PDF下载地址
FDMC86262P的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDMC86262PON SemiconductorMOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP$1.34000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDMC86262PON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 150V 307.0 MOHM MLP331:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.6895
3,000:¥3.277
9,000:查看
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FDMC86262PON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.4A 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:307mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:P沟道1+:¥5.81
10+:¥5.66
30+:¥5.55
100+:¥5.45