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FDMC86340 /MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
FDMC86340的规格信息
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制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:48 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:53 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:54 W

配置:Single

商标名:Power Clip

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMC86340

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:36 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:32 ns

单位重量:152.700 mg

供应商FDMC86340
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