FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.3A（Ta），7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：310pF @ 50V
功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），19W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：103 毫欧 @ 3.3A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs