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FDMC8200S_F106 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDMC8200S_F106的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:PowerTrench®

包装:剪切带(CT)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A,8.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):660pF @ 15V

功率 - 最大值:700mW,1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerWDFN

供应商器件封装:Power33

其它名称:FDMC8200S_F106CT

供应商FDMC8200S_F106
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