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FDD8878 /MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
FDD8878的规格信息
FDD8878的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD8878

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:79 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:FDD8878_NL

单位重量:260.370 mg

供应商FDD8878
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深圳市星宇佳科技有限公司FDD8878深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDD8878www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDD8878深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司FDD8878世纪汇都会轩45070755-82788062
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FDD8878深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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FDD8878N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO240.87 Kbytes共12页FDD8878的PDF下载地址FDS8878,FDD26AN06A0,FDS6930B,FDW2512NZ,FDC2512,FDD2612,FDD6035AL,FDP038AN06A0,FDP7042L,FDS3672
FDD8878N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO405.26 Kbytes共12页FDD8878的PDF下载地址FDD8874_08,FDS8812NZ,FDS8813NZ,FDS8817NZ,FDD6672A,STP40NF03L_07,FDS6294_07,FDR6674A,FDS6298_07,FDB8832
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Arrow(艾睿)
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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1000+:¥2.451+:¥2.05
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ChipOneStop
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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50+:¥2.55
500+:¥2.5199
1000+:¥2.19
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Digi-Key 得捷电子
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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125000+:¥1.76
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDD8878ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA$1.18000
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element14 e络盟电子
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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Mouser 贸泽电子
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDD8878ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FDD8878Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench2500+:¥2.13
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1000+:¥2.14
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FDD8878ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道1+:¥6.13
10+:¥5.98
30+:¥5.87
100+:¥5.77