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FDD6030BL /MOSFET 30V N-Ch PowerTrenc
FDD6030BL的规格信息
FDD6030BL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:42 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:7.7 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

系列:FDD6030

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:FDD6030BL_NL

供应商FDD6030BL
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FDD6030BLN-Channel PowerTrenchTM MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO107.97 Kbytes共5页FDD6030BL的PDF下载地址FDC637AN,FDS6890A,FDR4420A,FDS6680,FDC5612,FDZ201N,FDN335N,FDP5690,FDC655AN,FDC6561AN
FDD6030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO74.47 Kbytes共6页FDD6030BL的PDF下载地址FDR6674A,FDS7066N3,FDS7766S,FDS9412A,FDR6678A,FDS7066N7,FDS6294,FDS8670,FDFS6N754,FDS4488
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