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FDD4685-F085P /MOSFET 40V, P-channel Power Trench
FDD4685-F085P的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:32 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:34 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:FDD4685_F085P

单位重量:340 mg

供应商FDD4685-F085P
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