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FDD5N50FTM-WS /MOSFET UniFET 500V 3.5A
FDD5N50FTM-WS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.55 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD5N50F

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:FDD5N50FTM_WS

单位重量:260.370 mg

供应商FDD5N50FTM-WS
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