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FDD5810_F085 /Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5810_F085, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
FDD5810_F085的规格信息
FDD5810_F085的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：37 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：53 m0hms

最大栅阈值电压：2V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：DPAK (TO-252)

安装类型：表面贴装

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

最大功率耗散：72 W

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：24 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：1420 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：26 ns

典型接通延迟时间：12 ns

系列：PowerTrench

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：6.22mm

最高工作温度：+175 °C

长度：6.73mm

高度：2.39mm

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.39mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FDD5810_F085
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDD5810_F085华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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FDD5810-F085N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO454.75 Kbytes共7页FDD5810-F085的PDF下载地址无
FDD5810_F085的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDD5810_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET LOW VOLTAGE1+:￥7.13
10+:￥6.3
25+:￥5.68
100+:￥4.97
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDD5810_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET LOW VOLTAGE1+:￥7.13
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD5810_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET LOW VOLTAGE1+:￥7.13
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD5810-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKObsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD5810-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK$0.42000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD5810_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET LOW VOLTAGE1+:￥7.13
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Mouser 贸泽电子		FDD5810-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE1:¥7.5258
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2,500:¥3.051
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDD5810_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET LOW VOLTAGE1+:￥7.13
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立创商城		FDD5810-F085ON(安森美)MOS(场效应管)1+:￥7.83
200+:￥3.04
500+:￥2.93
1000+:￥2.88
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