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FDB031N08 /MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDB031N08的规格信息
FDB031N08的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:235 A

Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB031N08

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:121 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:191 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:335 ns

典型接通延迟时间:230 ns

单位重量:1.762 g

供应商FDB031N08
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深圳市威雅利发展有限公司FDB031N08华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDB031N08深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FDB031N08深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDB031N08深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司FDB031N08世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城FDB031N08深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDB031N08深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市博浩通科技有限公司FDB031N08华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳诚思涵科技有限公司FDB031N08深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FDB031N08深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDB031N08深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FDB031N08广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDB031N08深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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FDB031N08及相关型号的PDF资料
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FDB031N08N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.1mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO639.84 Kbytes共8页FDB031N08的PDF下载地址FDB045AN08A0_06,FDP047N08,FDC855N,FDMB3800N_0610,FDD8453LZ,FDD8444_06,FDS4470_06,STB160N75F3,FDC5612_04,FDD8445_07
FDB031N08Integrated Critical-Mode PFC / Quasi-Resonant Current-Mode PWM Controller FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO683.59 Kbytes共17页FDB031N08的PDF下载地址无
FDB031N08的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
1600+:￥17.32
2400+:￥16.45
5600+:￥15.83
20000+:￥15.34
40000+:￥14.851+:￥27.5799
10+:￥22.2
100+:￥18.3
500+:￥18.3
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
1600+:￥17.32
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5600+:￥15.83
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4800+:￥16.34
9600+:￥15.97
24800+:￥16.13800+:￥14.96
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
1600+:￥17.32
2400+:￥16.45
5600+:￥15.83
20000+:￥15.34
40000+:￥14.85
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDB031N08ON SemiconductorMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK$6.30000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
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5600+:￥15.83
20000+:￥15.34
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB031N08ON Semiconductor / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench1:¥37.9567
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5098
500:¥23.8204
800:¥23.8204
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
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24800+:￥16.13800+:￥14.961+:￥16.531+:￥15.531+:￥15.53
25+:￥15.3899
50+:￥15.25
100+:￥15.11
300+:￥14.83
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDB031N08Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:￥18.5599
1600+:￥17.32
2400+:￥16.45
5600+:￥15.83
20000+:￥15.34
40000+:￥14.851+:￥27.5799
10+:￥22.2
100+:￥18.3
500+:￥18.3
800+:￥17.47
2400+:￥16.81
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9600+:￥15.97
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDB031N08ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：235A 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.1mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道1+:￥42.18
10+:￥41.04
30+:￥40.28
100+:￥39.52
FDB031N08的相关型号
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