制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:229 A

Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:137 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:246 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.7 mm

长度:10.2 mm

系列:FDB024N08BL7

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:227 S

下降时间:41 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:66 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:47 ns

单位重量:1.312 g