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FDB029N06 /MOSFET NCH 60V 2.9Mohm
FDB029N06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:193 A

Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:231 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB029N06

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:154 S

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:178 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:39 ns

单位重量:1.762 g

供应商FDB029N06
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FDB029N06N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1mW FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO511.33 Kbytes共8页FDB029N06的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
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FDB029N06ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK$5.35000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
FDB029N06ON Semiconductor / FairchildMOSFET NCH 60V 2.9Mohm1:¥29.1992
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Rochester
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