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FDB0260N1007L /MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
FDB0260N1007L的规格信息
FDB0260N1007L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:200 A

Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:84 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.7 mm

长度:10.2 mm

系列:FDB0260N1007L

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:59 S

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:29 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:51 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB0260N1007L
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