特色产品：SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SuperFET® II

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20.6A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：82nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3175pF @ 25V

功率 - 最大值：39W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220F