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FCPF11N60NT /MOSFET SupreMOS 11A
FCPF11N60NT的规格信息
FCPF11N60NT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10.8 A

Rds On-漏源导通电阻:255 mOhms

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:32.1 W

配置:Single

商标名:SupreMOS

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FCPF11N60NT

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:13.5 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.1 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:13.6 ns

单位重量:2.270 g

供应商FCPF11N60NT
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FCPF11N60NT华强广场C座18J0755-27381274
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FCPF11N60NT深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FCPF11N60NT航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城FCPF11N60NT深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市高捷芯城科技有限公司FCPF11N60NT深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FCPF11N60NT深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市星宇佳科技有限公司FCPF11N60NT深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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Digi-Key 得捷电子
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FCPF11N60NTON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F$3.87000
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FCPF11N60NTON Semiconductor / FairchildMOSFET SupreMOS 11A1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.9047
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Rochester
FCPF11N60NTFairchild SemiconductorFET - 单 SuperMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SupreMOS 11A1+:¥27.78
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Verical
FCPF11N60NTFairchild SemiconductorFET - 单 SuperMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SupreMOS 11A1+:¥27.78
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立创商城
FCPF11N60NTON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:N沟道1+:¥20.07
10+:¥19.53
30+:¥19.16
100+:¥18.8