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FCPF190N60E /MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
FCPF190N60E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:20.6 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Qg-栅极电荷:82 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:39 W

配置:Single

商标名:SuperFET II

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FCPF190N60E

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:212 ns

典型接通延迟时间:56 ns

单位重量:2.270 g

供应商FCPF190N60E
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FCPF190N60EFCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO647.03 Kbytes共10页FCPF190N60E的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
FCPF190N60EFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1+:¥24.44
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Arrow(艾睿)
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ChipOneStop
FCPF190N60EFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1+:¥24.44
10+:¥21.82
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Digi-Key 得捷电子
FCPF190N60EON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F$3.13000
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
FCPF190N60E_F152Fairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1000+:¥17.2001
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
FCPF190N60EFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1+:¥24.44
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
FCPF190N60EFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1+:¥24.44
10+:¥21.82
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Verical
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Verical
FCPF190N60E_F152Fairchild SemiconductorFET - 单 SuperFETII® 分立半导体产品1000+:¥17.20011+:¥31.31
10+:¥25.18
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1000+:¥17.3899
2500+:¥16.7299
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立创商城
FCPF190N60EON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道1+:¥15.21
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100+:¥9.98
500+:¥9.67
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