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FCPF11N60F /MOSFET 600V NCH MOSFET
FCPF11N60F的规格信息
FCPF11N60F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperFET FRFET

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FCPF11N60F

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:9.7 S

下降时间:56 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:98 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:119 ns

典型接通延迟时间:34 ns

单位重量:2.270 g

供应商FCPF11N60F
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FCPF11N60F华强广场C座18J0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司FCPF11N60F深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市高捷半导体有限公司FCPF11N60F深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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Arrow(艾睿)
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FCPF11N60FON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 11A TO220F$2.54000
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element14 e络盟电子
FCPF11N60FFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET1+:¥24.95
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FCPF11N60FON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V NCH MOSFET1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
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Rochester
FCPF11N60FFairchild SemiconductorFET - 单 SuperFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET1+:¥24.95
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
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立创商城
FCPF11N60FON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道1+:¥15.75
10+:¥15.34
30+:¥14.99
100+:¥14.72