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EFC6612R-TF /MOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
EFC6612R-TF的规格信息
EFC6612R-TF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:CSP-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:27 nC, 27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:EFC6612R

晶体管类型:2 N-channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:4.7 S, 4.7 S

下降时间:92 us, 92 us

产品类型:MOSFET

上升时间:640 ns, 640 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11.8 us, 11.8 us

典型接通延迟时间:30 ns, 30 ns

供应商EFC6612R-TF
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EFC6612R-TFON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM1:¥6.3732
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