功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：4-XBGA，4-FCBGA
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8.8nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）：24V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
Vgs（最大值）：±12V
供应商器件封装：EFCP1515-4CC-037
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs