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EFC6611R-A-TF /MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
EFC6611R-A-TF的规格信息
EFC6611R-A-TF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:CSP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:27 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:120 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:EFC6611R

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:19 S

开发套件:-

下降时间:17700 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:570 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38000 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:60 mg

供应商EFC6611R-A-TF
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