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EFC4C012NLTDG /MOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
EFC4C012NLTDG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WLCSP-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms, 5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:18 nC, 18 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:5.7 us, 5.7 us

产品类型:MOSFET

上升时间:2 us, 2 us

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 us, 26 us

典型接通延迟时间:2.7 us, 2.7 us

供应商EFC4C012NLTDG
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