RoHS：符合 RoHS

1.3 W：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：ECH-8

系列：ECH8661

品牌：ON Semiconductor

互导 - 最小值：3.7 S, 5.2 S

下降时间：25 ns, 42 ns

最低工作温度：- 55 C

上升时间：25 ns, 23 ns

晶体管极性：N and P-Channel

标准包装数量：3000

标准断开延迟时间：43 ns, 63 ns

Vds - 漏-源击穿电压：30 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：7 A

Rds On - 漏-源电阻：24 m0hms

配置：Dual

11.8 nC, 13 nC：Qg - 闸极充电

最高工作温度：+ 150 C

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A，5.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：710pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-ECH

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs