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ECH8660-TL-H /MOSFET SWITCHING DEVICE
ECH8660-TL-H的规格信息
ECH8660-TL-H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ECH-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms, 82 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4.4 nC, 10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Dual

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:ECH8660

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:7.5 ns, 35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns, 26 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns, 45 ns

典型接通延迟时间:6.2 ns, 7.5 ns

单位重量:17.800 mg

供应商ECH8660-TL-H
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