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ECH8659-TL-W /MOSFET NCH+NCH 7A 30V 4V DR
ECH8659-TL-W的规格信息
ECH8659-TL-W的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ECH-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:11.8 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:ECH8659

晶体管类型:2 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.2 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商ECH8659-TL-W
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