标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：24V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-ECH

其它名称：ECH8601M-TL-H-NDECH8601M-TL-HOSTR