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DMG1029SV-7 /MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
DMG1029SV-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:500 mA, 360 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.7 Ohms, 4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.3 nC, 0.28 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:450 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMG1029

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:80 mS, 50 mS

下降时间:9.9 ns, 11.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.4 ns, 7.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15.7 ns, 10.6 ns

典型接通延迟时间:3.9 ns, 5.5 ns

单位重量:3 mg

供应商DMG1029SV-7
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深圳市斌腾达科技有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司DMG1029SV-7www.nowchip.com0755-27381274
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13352985419
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18938047708/18938048779
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市水星电子有限公司DMG1029SV-7地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司DMG1029SV-7华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司DMG1029SV-7华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
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深圳市安富世纪电子有限公司DMG1029SV-7深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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DMG1029SV-7COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO286.74 Kbytes共9页DMG1029SV-7的PDF下载地址
DMG1029SV-7的全球分销商及价格
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Allied Electronics
DMG1029SV-7Diodes IncCompl. Pair Enhancement MOSFET SOT-563+250:$0.19
+750:$0.18
+1500:$0.15
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Arrow(艾睿)
DMG1029SV-7DIODES ZETEX1+:¥2.49
10+:¥1.6701
100+:¥0.93
1000+:¥0.7
3000+:¥0.7
9000+:¥0.7
24000+:¥0.6501
45000+:¥0.62
99000+:¥0.63000+:¥0.553000+:¥0.63
6000+:¥0.6
12000+:¥0.581+:¥0.6899
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Avnet Express
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K - Tape and Reel3,000 : $0.0828
14,999 : $0.0789
29,999 : $0.078
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Chip1Stop
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
RoHS : Compliant
3,000 : $0.1
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0966
6,000 : $0.089
12,000 : $0.0726
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ChipOneStop
DMG1029SV-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA1+:¥2.49
10+:¥1.6701
100+:¥0.93
1000+:¥0.7
3000+:¥0.7
9000+:¥0.7
24000+:¥0.6501
45000+:¥0.62
99000+:¥0.63000+:¥0.55
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Digi-Key 得捷电子
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V SOT56315,000 : $0.09425
6,000 : $0.10075
3,000 : $0.10725
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V SOT563$0.41000
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Future Electronics
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedN & P Channel 60 V 1.7/4 Ohm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
RoHS : Compliant
1 : $0.1091
60 : $0.1084
750 : $0.1024
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Future(富昌)
DMG1029SV-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA1+:¥2.49
10+:¥1.6701
100+:¥0.93
1000+:¥0.7
3000+:¥0.7
9000+:¥0.7
24000+:¥0.6501
45000+:¥0.62
99000+:¥0.63000+:¥0.553000+:¥0.63
6000+:¥0.6
12000+:¥0.58
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Mouser 贸泽电子
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMG1029SV-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA1+:¥2.49
10+:¥1.6701
100+:¥0.93
1000+:¥0.7
3000+:¥0.7
9000+:¥0.7
24000+:¥0.6501
45000+:¥0.62
99000+:¥0.6
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
DMG1029SV-7Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R$0.0713
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
DMG1029SV-7DIODES ZETEX1+:¥2.49
10+:¥1.6701
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99000+:¥0.63000+:¥0.553000+:¥0.63
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12000+:¥0.581+:¥0.68991+:¥0.51
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立创商城
DMG1029SV-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA,360mA 漏源电压(Vdss):60V,-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.7Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):450mW 类型:N沟道和P沟道1+:¥0.7691
10+:¥0.5689
30+:¥0.5322
100+:¥0.4954
500+:¥0.4791
1000+:¥0.471