制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOT-26-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:25 V, 30 V
Id-连续漏极电流:400 mA, 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms, 300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV, 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压:8 V, 12 V
Qg-栅极电荷:700 pC, 21 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:DMC25
商标:Diodes Incorporated
下降时间:3.7 ns, 14.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:7.7 ns, 61.4 ns
典型接通延迟时间:3 ns, 3.5 ns