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DMC25D0UVT-7 /MOSFET 20V Enh Mode FET
DMC25D0UVT-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V, 30 V

Id-连续漏极电流:400 mA, 2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms, 300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV, 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V, 12 V

Qg-栅极电荷:700 pC, 21 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMC25

商标:Diodes Incorporated

下降时间:3.7 ns, 14.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.3 ns, 3.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7.7 ns, 61.4 ns

典型接通延迟时间:3 ns, 3.5 ns

供应商DMC25D0UVT-7
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深圳市成源运利电子科技有限公司DMC25D0UVT-7深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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DMC25D0UVT-7COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO466.65 Kbytes共11页DMC25D0UVT-7的PDF下载地址
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DMC25D0UVT-7DIODES ZETEX3000+:¥1.0099
6000+:¥0.95
15000+:¥0.88
30000+:¥0.8399
75000+:¥0.8201
150000+:¥0.781+:¥2.49
10+:¥1.88
100+:¥1.1799
1000+:¥1.04
3000+:¥0.97
9000+:¥0.89
24000+:¥0.87
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99000+:¥
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DMC25D0UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26$0.43000
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DMC25D0UVT-7Diodes Inc.3000+:¥1.0099
6000+:¥0.95
15000+:¥0.88
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75000+:¥0.8201
150000+:¥0.78
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DMC25D0UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT2610 : $0.348
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DMC25D0UVT-7Diodes Inc.3000+:¥1.0099
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15000+:¥0.88
30000+:¥0.8399
75000+:¥0.8201
150000+:¥0.781+:¥2.49
10+:¥1.88
100+:¥1.1799
1000+:¥1.04
3000+:¥0.97
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99000+:¥0.81
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Mouser 贸泽电子
DMC25D0UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Enh Mode FET1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
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DMC25D0UVT-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):400mA,3.2A 漏源电压(Vdss):25V,-30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥2.54
10+:¥1.86
30+:¥1.74
100+:¥1.62
500+:¥1.56
1000+:¥1.53